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    3.0SMCJ100C-G产品参数
    型号:3.0SMCJ100C-G
    是否Rohs认证:符合
    生命周期:Obsolete
    IHS 制造商:SANGDEST MICROELECTRONICS (NANJING) CO LTD
    包装说明:R-PDSO-C2
    Reach Compliance Code:unknown
    风险等级:5.67
    Is Samacsys:N
    其他特性:UL RECOGNIZED
    最大击穿电压:141 V
    最小击穿电压:111 V
    配置:SINGLE
    二极管元件材料:SILICON
    二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
    JEDEC-95代码:DO-214AB
    JESD-30 代码:R-PDSO-C2
    最大非重复峰值反向功率耗散:3000 W
    元件数量:1
    端子数量:2
    封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
    封装形状:RECTANGULAR
    封装形式:SMALL OUTLINE
    峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
    极性:BIDIRECTIONAL
    认证状态:Not Qualified
    最大重复峰值反向电压:100 V
    表面贴装:YES
    技术:AVALANCHE
    端子形式:C BEND
    端子位置:DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
    Base Number Matches:1
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