AON7401产品参数

品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

描述：MOSFET P-CH 30V 12A 8DFN

详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta），35A（Tc） 3.1W（Ta），29W（Tc） 8-DFN（3x3）

制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Ta），35A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：39nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2600pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），29W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-DFN（3x3）

封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线

标准包装：5,000

其它名称：785-1302-2