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    JESD-30 代码:S-PBGA-B256
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    内存密度:2359296 bit
    内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM
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    端子数量:256
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    工作模式:ASYNCHRONOUS
    最高工作温度:70 °C
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    组织:64KX36
    输出特性:3-STATE
    封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
    封装代码:LBGA
    封装等效代码:BGA256,16X16,40
    封装形状:SQUARE
    封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
    并行/串行:PARALLEL
    峰值回流温度(摄氏度):225
    电源:2.5/3.3,3.3 V
    认证状态:Not Qualified
    座面最大高度:1.5 mm
    最大待机电流:0.015 A
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    子类别:SRAMs
    最大压摆率:0.5 mA
    最大供电电压 (Vsup):3.45 V
    最小供电电压 (Vsup):3.15 V
    标称供电电压 (Vsup):3.3 V
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    技术:CMOS
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    端子面层:Tin/Lead (Sn63Pb37)
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