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    MV1N6388E3产品参数
    型号:MV1N6388E3
    是否Rohs认证: 符合
    生命周期:Obsolete
    IHS 制造商:MICROSEMI CORP
    包装说明:O-PALF-W2
    针数:2
    制造商包装代码:CASE 1
    Reach Compliance Code:unknown
    ECCN代码:EAR99
    HTS代码:8541.10.00.50
    风险等级:5.78
    最小击穿电压:42.4 V
    外壳连接:ISOLATED
    配置:SINGLE
    二极管元件材料:SILICON
    二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
    JESD-30 代码:O-PALF-W2
    JESD-609代码:e3
    最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
    元件数量:1
    端子数量:2
    封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
    封装形状:ROUND
    封装形式:LONG FORM
    峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
    极性:BIDIRECTIONAL
    最大功率耗散:1.52 W
    认证状态:Not Qualified
    参考标准:MIL-19500
    最大重复峰值反向电压:36 V
    表面贴装:NO
    技术:AVALANCHE
    端子面层:MATTE TIN
    端子形式:WIRE
    端子位置:AXIAL
    处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
    Base Number Matches:1
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