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    包装说明:SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
    针数:8
    Reach Compliance Code:unknown
    ECCN代码:EAR99
    风险等级:5.83
    雪崩能效等级(Eas):20 mJ
    外壳连接:DRAIN
    配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压:30 V
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    最大漏极电流 (ID):18.5 A
    最大漏源导通电阻:0.006 Ω
    FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代码:S-XDSO-C5
    JESD-609代码:e3
    湿度敏感等级:1
    元件数量:1
    端子数量:5
    工作模式:ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度:150 °C
    封装主体材料:UNSPECIFIED
    封装形状:SQUARE
    封装形式:SMALL OUTLINE
    峰值回流温度(摄氏度):260
    极性/信道类型:N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs):52 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM):70 A
    认证状态:Not Qualified
    子类别:FET General Purpose Powers
    表面贴装:YES
    端子面层:Matte Tin (Sn)
    端子形式:C BEND
    端子位置:DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间:40
    晶体管应用:SWITCHING
    晶体管元件材料:SILICON
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