STV160NF02LAT4产品参数

品牌：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10

详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 160A（Tc） 210W（Tc） 10-PowerSO

制造商：STMicroelectronics

系列：STripFET??

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：160A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.7毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：175nC @ 10V

Vgs（最大值）：±15V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：5500pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：210W（Tc）

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：10-PowerSO

封装/外壳：PowerSO-10 裸露底部焊盘

标准包装：600